SK하이닉스의 용인 공장 준공 시점과 HBM4의 구체적인 스펙

SK하이닉스의 미래를 책임질 용인 반도체 클러스터와 차세대 메모리 HBM4는 현재 단순한 계획을 넘어 실전 양산 단계에 진입하고 있습니다. 2026년 2월 현재 업데이트된 최신 정보를 바탕으로 핵심 내용을 정리해 드립니다.

 

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용인 반도체 클러스터: 2027년 가동을 위한 가속화 🏗️

SK하이닉스가 600조 원 이상을 투입하는 용인 클러스터는 현재 외관 골조 공사가 절반 이상 진행되었으며, 조기 가동을 위해 일정을 앞당기고 있습니다.

• 1기 팹(Fab) 준공 및 가동 시점: 공식적인 가동 목표는 2027년 5월입니다. 하지만 최근 메모리 부족 사태에 대응하기 위해 클린룸 준공 시점을 앞당기고 있으며, 2027년 1분기(1~3월) 중 시험 가동에 들어갈 가능성이 큽니다.
• 현재 공정 현황: 2026년 2월 기준, 첫 번째 팹의 외부 프레임 건설이 마무리 단계에 있으며, 총 6개의 클린룸 중 3개가 동시에 구축되고 있습니다.
• 생산 품목: 이곳에서는 차세대 HBM(HBM4E, HBM5)과 고성능 DDR5 D램이 주력으로 생산될 예정입니다.

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HBM4(6세대): ‘괴물 스펙’의 완성 🚀

SK하이닉스는 지난달 CES 2026에서 세계 최초로 16단 적층 HBM4 실물을 공개하며 기술적 우위를 과시했습니다.

주요 항목	세부 스펙 및 특징	비고
양산 시점	2026년 2월 양산 확정 및 출하 준비	당초 계획보다 조기 양산 성공
적층 및 용량	16단(16-Hi) / 48GB (최대 64GB)	12단(36GB) 대비 용량 33% 증가
대역폭(속도)	스택당 2.0TB/s 이상 / 11.7Gbps	업계 최고 수준의 데이터 처리 속도
전력 효율	전 세대(HBM3E) 대비 40% 개선	베이스 다이 로직 공정 혁신 결과
핵심 기술	Advanced MR-MUF 및 TSMC 협업	베이스 다이에 파운드리 공정 도입

• 16단 적층의 의미: 12단에서 16단으로 높이면서도 두께를 유지하기 위해 더욱 정교한 어드밴스드 MR-MUF 기술이 적용되었습니다. 이는 GPT-4와 같은 초거대 AI 모델을 메모리에 직접 상주시켜 처리 속도를 획기적으로 높입니다.
• 커스텀 HBM(cHBM): 고객사(엔비디아 등)의 요구에 맞춰 GPU의 일부 기능을 메모리 하단 ‘베이스 다이’에 통합하는 맞춤형 설루션도 함께 준비 중입니다.

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